加国同城 首页 新闻资讯 环球经济 查看内容

三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

2024-8-6 19:48| 发布者:青青草 查看:42| 评论:0 |来自: 新浪科技

摘要:据报道,三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议,但很快就会签署;预计第四季度开始供应。

  据报道,三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。

  三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议,但很快就会签署;预计第四季度开始供应。

  12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。


路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋

相关阅读

最新评论